在當(dāng)今全球化的高科技競(jìng)賽中，半導(dǎo)體芯片技術(shù)的研發(fā)已經(jīng)成為國家之間科技實(shí)力較量的重要戰(zhàn)場(chǎng)。當(dāng)國產(chǎn)芯片還在努力突破7納米技術(shù)瓶頸時(shí)，令人振奮的消息傳來：國內(nèi)已有企業(yè)開始勇敢地探索更為先進(jìn)的3納米技術(shù)。

在半導(dǎo)體行業(yè)，納米數(shù)值的縮小意味著技術(shù)難度的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。每個(gè)納米級(jí)的跨越，都代表著對(duì)材料科學(xué)、工藝制程、設(shè)計(jì)理念的全新挑戰(zhàn)。在這個(gè)看似遙不可及的目標(biāo)前，中國的一家存儲(chǔ)芯片巨頭已經(jīng)在國際舞臺(tái)上展示了其雄心壯志和初步成果。

2023年12月12日-16日，在舊金山舉行的IEEE國際電子元件年會(huì)（IEDM）上，這家企業(yè)向全世界揭示了其研發(fā)的GAA（環(huán)繞柵極）架構(gòu)技術(shù)。值得一提的是，這正是當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)頭羊三星用于其3納米芯片的技術(shù)。

但有所不同的是，這家中國企業(yè)并不生產(chǎn)邏輯芯片，因此其研發(fā)的GAA技術(shù)并不會(huì)直接應(yīng)用于自家的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線上。這一展示的意義不僅在于技術(shù)本身，更在于它背后所傳遞的信息：中國的芯片技術(shù)人才儲(chǔ)備豐富，已經(jīng)具備了與國際前沿接軌的研發(fā)能力。在設(shè)備到位的情況下，3納米工藝的量產(chǎn)對(duì)中國而言將不再是遙不可及的夢(mèng)想。相比之下，目前全球半導(dǎo)體代工巨頭臺(tái)積電在其第一代3納米工藝上仍然采用的是相對(duì)傳統(tǒng)的FINFET技術(shù)。